基于锗硅异质纳米晶的非易失浮栅存储器的存储特性

• 作者: 左正 施毅 濮林 郑有炓 闾锦 陈裕斌
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质纳米晶 非易失浮栅存储器 电容,电压特性,自组织生长,选择化学刻蚀
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 770-773
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 1906字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.04.030

摘要

利用自组织生长和选择化学刻蚀方法在超薄SiO2隧穿氧化层上制备了渐变锗硅异质纳米晶,并通过电容.电压特性和电容-时间特性研究了该纳米结构浮栅存储器的存储特性.测试结果表明,该异质纳米晶非易失浮栅存储器具有良好的空穴存储特性,这是由于渐变锗硅异质纳米晶中Ge的价带高于Si的价带形成了复合势垒,空穴有效地存储在复合势垒的Ge的一侧.