退火温度对掺氮Zn0薄膜结构和光电特性的影响

• 作者: 傅竹西 孙利杰 徐小秋 林碧霞 钟声
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热氧化 ZnO XPS 受主能级
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1330-1333
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+5
• 字数: 3122字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.019

摘要

采用Zn3N2热氧化法在直流磁控溅射设备上制备了掺氮Zn0薄膜(ZnO:N),研究了不同退火温度对样品结构和光电特性的影响.X射线衍射谱(XRD)结果表明,Zn3N2在600℃以上退火即可转变为Zn0:N薄膜.X射线光电子能谱(XPS)发现,在热氧化法制备的ZnO:N薄膜中,存在两种与N相关的结构,分别是N原子替代O(受主)和N2分子替代O(施主),这两种结构分别于不同的退火温度下存在,并且700℃下退火的样品在理论上具有最高的空穴浓度,这一点也由霍尔测量结果得到证实.同时,从低温PL光谱中观察到了与N.受主有关的导带到受主(FA)和施主-受主对(DAP)的跃迁,并由此计算出热氧化法制备的ZnO:N薄膜中的N.受主能级位置.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅竹西	中国科学技术大学物理系	53	808	17.0	27.0
2	林碧霞	中国科学技术大学物理系	32	700	16.0	26.0
3	钟声	中国科学技术大学物理系	20	117	6.0	9.0
4	孙利杰	中国科学技术大学物理系	8	42	4.0	6.0
5	徐小秋	中国科学技术大学物理系	3	20	2.0	3.0