K+对ZnO压敏陶瓷电性能的影响

• 作者: 宋建军 庞驰 曹全喜
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 电子技术 氧化锌压敏陶瓷 K+掺杂 电性能 晶界
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 42-44
• 页数: 3页
• 分类号: TM34
• 字数: 1858字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2008.05.013

摘要

采用传统的陶瓷工艺,制备了ZnO压敏陶瓷.研究了K+掺杂量对ZnO压敏陶瓷电性能的影响.结果表明:当x(K+)小于40×10-6时,对其电性能几乎没有影响;但若x(K+)超过60×10-6后,由于K+在晶界和三角区的大量偏析,破坏了晶界层的稳定,导致其浪涌电流耐受能力严重劣化.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	曹全喜	西安电子科技大学技术物理学院	92	638	13.0	21.0
2	宋建军	西安电子科技大学微电子学院	36	204	9.0	12.0
3	庞驰	贵州大学材料科学与冶金工程学院	11	33	4.0	5.0