InGaAs/InP材料的Zn扩散技术

• 作者: 刘英斌 杨红伟 林琳 郑晓光 陈宏泰
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机化学气相淀积 锌扩散 退火 电化学C-V 光电探测器
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 610-612
• 页数: 3页
• 分类号: TN305.4
• 字数: 1302字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.07.016

摘要

使用MOCVD反应室进行了InGaAs和InP材料上的Zn扩散工艺条件研究.通过控制扩散温度、扩散源浓度和扩散时间三个主要工艺参数,研究了InGaAs/InP材料的扩散系数和扩散规律,获得了优化的扩散条件.试验表明,该扩散工艺符合原子扩散规律,扩散现象可以用填隙-替位模型解释.样品经过快速退火过程,获得了极高的空穴浓度.InP的空穴浓度达到7.7×1018/cm3,而InGaAs材料达到7×1019/cm3.在优化的扩散条件下,Zn扩散的深度和浓度精确可控,材料的均匀性好,工艺重复性好,能够应用于光电探测器或其他器件.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘英斌	中国电子科技集团公司第十三研究所	10	54	5.0	7.0
2	林琳	中国电子科技集团公司第十三研究所	21	58	6.0	7.0
3	陈宏泰	中国电子科技集团公司第十三研究所	25	102	6.0	8.0
4	郑晓光	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	12	2.0	2.0
5	杨红伟	中国电子科技集团公司第十三研究所	23	87	6.0	7.0