磨料和H2O2对InSb CMP效果影响的研究

• 作者: 侯丽辉 刘玉岭 唐文栋 孙薇 宗思邈 张伟 李咸珍
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 锑化铟 磨料 双氧水 化学机械抛光
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 1016-1019
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23|TN305.2
• 字数: 3557字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.11.020

摘要

InSb由于硬度低、脆性大等特性,其材料表面的精密加工水平成为制约器件性能进一步提高的重要因素.采用化学机械抛光(CMP)技术对InSb进行表面加工,分析了CMP过程中抛光液的磨料质量分数和氧化剂含量对InSb的CMP效果的影响规律,实验研究了磨料和氧化剂(H2O2)的优化配比参数,并在此参数下,获得了良好的抛光表面.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘玉岭	河北工业大学微电子所	263	1540	17.0	22.0
2	侯丽辉	河北工业大学微电子所	3	28	3.0	3.0
3	孙薇	河北工业大学微电子所	3	28	3.0	3.0
4	张伟	河北工业大学微电子所	50	256	10.0	12.0
5	李咸珍	河北工业大学微电子所	3	18	3.0	3.0
6	唐文栋	河北工业大学微电子所	5	21	3.0	4.0
7	宗思邈	河北工业大学微电子所	3	22	3.0	3.0