有机硅化合物-金属氧化物绝缘保护材料在制造高压晶闸管中的应用研究

• 作者: 刘秀喜 王公堂
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 绝缘保护材料 性能 晶闸管 机理
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 576-580
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 4472字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.01.094

摘要

采用高纯有机硅化合物和金属氧化物,按比例均匀混合制成糊状材料,涂敷于器件台表面,用于半导体p-n结表面特性的控制和保护.固化后该材料在室温下的体电阻率大于7.5×1015Ω·cm,介电常数为4.7,击穿电压高于16kV/mm.该材料用于KP500型晶闸管表面保护,能明显改善器件的表面特性、减少漏电流和提高耐压水平,并对提高器件性能的机理进行了研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王公堂	山东师范大学物理与电子科学学院	32	104	6.0	8.0
2	刘秀喜	山东师范大学物理与电子科学学院	9	6	2.0	2.0