低温退火制备Ti/4H-SiC欧姆接触

• 作者: 王海波 赵亮 陈素华 马继开
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 氢等离子体 欧姆接触 比接触电阻率
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 147-150
• 页数: 4页
• 分类号: TN305.93|TN304
• 字数: 2718字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.02.015

摘要

实现SiC器件欧姆接触常规工艺需要800～1200℃的高温退火.研究了n型4H-SiC低温制备Ti欧姆电极的工艺及其基本电学特性.通过氢等离子体处理4H-SiC的表面,沉积Ti后可直接形成欧姆接触,室温下比接触电阻率ρc为2.25×10-3 Ω·m2(ρc由圆形传输线模型CTLM测得),随着合金温度的升高,其欧姆特性逐渐增强,400℃合金后获得最低的比接触电阻率ρc为2.07×10-4 Ω·m2.采用X射线衍射(XRD)确定金属/n-SiC界面反应时形成的相,以分析电学性质与微观结构间的联系.最后讨论了低温欧姆接触的形成机制.