异质结位置对缓变集电结SiGe HBT性能的影响

• 作者: 严利人 付军 刘道广 张伟 雒睿
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: SiGe HBT 集电结 HBE 相对位置 器件性能
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1491-1495
• 页数: 5页
• 分类号: TN322+.18
• 字数: 807字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.08.015

摘要

研究了npn型SiGe HBT集电结附近的异质结位置对器件性能的影响.采用Taurus-Medici 2D器件模拟软件,在渐变集电结SiGe HBT的杂质分布不变的情况下,模拟了各种异质结位置时的器件直流增益特性和频率特性.同时比较了处于不同集电结偏压下的直流增益和截止频率.分析发现即使没有出现导带势垒,器件的直流和高频特性仍受SiGe层中性基区边界位置的影响.模拟结果对SiGe HBT的设计和分析都具有实际意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张伟	清华大学微电子研究所	180	2989	27.0	49.0
2	严利人	清华大学微电子研究所	26	81	5.0	8.0
3	刘道广	清华大学微电子研究所	12	53	4.0	7.0
4	雒睿	清华大学微电子研究所	1	2	1.0	1.0
5	付军	清华大学微电子研究所	3	35	2.0	3.0