IGBT技术发展综述

• 作者: 叶立剑 杨小慧 邹勉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 绝缘栅双极晶体管 专利 碳化硅 掺砷
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 趋势与展望
• 页码范围: 937-940,951
• 页数: 5页
• 分类号: TN389
• 字数: 4244字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.11.001

摘要

绝缘栅双极晶体管(IGBT)自问世以来,在结构设计、加工工艺和应用开发等方面得到了很大的发展.概述了IGBT的一般结构和发展历史,着重介绍了近年来几个专利技术中IGBT结构设计和制造方面的新进展.特别是宽禁带半导体材料SiC的异军突起,为IGBT技术开辟了一个新的发展空间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨小慧		3	119	2.0	3.0
2	叶立剑		1	107	1.0	1.0
3	邹勉		3	114	2.0	3.0