原位退火对HVPE生长的GaN外延层光学性质和结构的影响

• 作者: 尹志军 李新化 段铖宏 王玉琦 邱凯 钟飞 韩奇峰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaN 原位退火 氢化物气相外延
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 410-413
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2
• 字数: 821字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.03.002

摘要

研究了原位退火对用氢化物外延方法在(0001)面蓝宝石衬底上生长的氮化镓(GaN)外延薄膜的结构和光学性能的影响.测试表明,氨气气氛下在生长温度进行的原位退火,明显提高了GaN外延膜的质量.X射线衍射(XRD)分析表明,随着原位退火时间的增加,(0002)面和(1012)面摇摆曲线的半峰宽逐渐变窄.喇曼散射谱显示样品退火后E2(high)峰位向低频区移动;随着退火时间的延长,趋向于块状GaN的峰位.可见,原位退火使GaN外延膜中的双轴应力明显减少.光致发光的测试结果与XRD和喇曼散射谱的结论一致.表明原位退火能有效提高GaN外延膜的结构和光学性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	尹志军	中国科学院材料物理重点实验室	4	5	2.0	2.0
2	王玉琦	中国科学院材料物理重点实验室	18	215	8.0	14.0
3	李新化	中国科学院材料物理重点实验室	5	3	1.0	1.0
4	钟飞	中国科学院材料物理重点实验室	4	17	2.0	4.0
5	邱凯	中国科学院材料物理重点实验室	3	14	2.0	3.0
6	段铖宏	中国科学院材料物理重点实验室	1	2	1.0	1.0
7	韩奇峰	中国科学院材料物理重点实验室	1	2	1.0	1.0