碳化硅陶瓷新型反应连接技术

• 作者: 张舸 赵文兴 赵汝成
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 反应烧结 碳化硅陶瓷 反应连接工艺
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 1037-1041
• 页数: 5页
• 分类号: TQ174.6|TH703
• 字数: 3270字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-924X.2008.06.011

摘要

在碳化硅陶瓷反应连接工艺的基础上研究了一种新型的反应连接工艺,利用该工艺连接了自制的反应烧结碳化硅(RB-SiC)陶瓷.对连接的RB-SiC陶瓷样品表面初步抛光后,测试了焊缝宽度、焊缝处的显微组织结构、连接层的力学性能和高低温实验后连接层对表面面形的影响.测试结果表明:利用新型反应连接工艺连接的RB-SiC陶瓷的焊缝宽度分布在54～77 μm之间;焊缝处的显微组织结构非常均匀,接近基体材料;测试了10个样品的室温抗弯强度,平均值为307 MPa,而且断裂都产生在母材上,说明焊缝处力学性能优异;高低温实验后,整块碳化硅陶瓷表面面形无变化,说明连接层的热学性能与母材一致,无残余应力.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵文兴	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	15	333	9.0	15.0
2	赵汝成	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	11	120	6.0	10.0