量子限制效应对限制在多量子阱中受主束缚能的影响

• 作者: 吕英波 宋淑梅 王爱芳 郑卫民 陶琳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 量子限制效应 浅受主杂质 δ掺杂 GaAs/AlAs多量子阱 光致发光谱
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 310-314
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+3
• 字数: 5557字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.02.022

摘要

从实验和理论上,研究了量子限制效应对限制在GaAs/AIAs多量子阱中受主对重窄穴束缚能的影响.实验中所用的样品是通过分子束外延技术生长的一系列GaAs/AIAs多量子阱,量子阱宽度从3nm到20nm,并且在量子阱中央进行了浅受主铍(Be)原子的δ掺杂.在4,20,40,80和120K不同温度下,分别对上述系列样品进行了光致发光谱(PL)的测量,清楚地观察到了受主束缚激子从ls3/2(Г6)基态到同种宇称2s3/2(Г6)激发态的两空穴跃迁,并且从实验上测得了在不同量子阱宽度下受主的束缚能.理论上应用量子力学中的变分原理,数值计算了受主对重空穴束缚能随量子阱宽度的变化关系,比较发现理论计算和实验结果符合较好.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑卫民	山东大学威海分校应用物理系	5	1	1.0	1.0
2	王爱芳	山东大学威海分校应用物理系	12	57	5.0	7.0
3	宋淑梅	山东大学威海分校应用物理系	15	40	4.0	6.0
4	吕英波	山东大学威海分校应用物理系	12	51	3.0	7.0
5	陶琳	山东大学威海分校应用物理系	5	26	2.0	5.0