HgCdTe组分异质结的生长与表征

• 作者: 孙士文 徐庆庆 方维政 焦翠灵 赵守仁 魏彦锋
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: HgCdTe 液相外延 双层组分异质结
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1342-1346
• 页数: 5页
• 分类号: O484.1
• 字数: 4745字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.022

摘要

采用富碲水平推舟液相外延生长方式,在(111)晶向的碲锌镉衬底上生长了双层组分异质HgCdTe外延薄膜,并对生长后的薄膜质量进行了评价.使用染色法和红外透射光谱数值拟合的方法,对两层薄膜的厚度进行了表征,并建立了一个双层薄膜纵向组分分布模型;对材料的电学参数进行测量的结果显示,双层异质液相外延样品中长波层的载流子迁移率较之单层液相外延样品略高,原因可能是中波覆盖层对长波外延层起到了钝化作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	魏彦锋	中国科学院上海技术物理研究所	22	117	6.0	9.0
2	焦翠灵	中国科学院上海技术物理研究所	8	10	2.0	2.0
6	赵守仁	中国科学院上海技术物理研究所	3	8	2.0	2.0
7	方维政	中国科学院上海技术物理研究所	20	91	6.0	8.0
8	孙士文	中国科学院上海技术物理研究所	16	28	3.0	4.0
9	徐庆庆	中国科学院上海技术物理研究所	6	9	2.0	2.0