椭偏透射法测量氢化非晶硅薄膜厚度和光学参数

• 作者: 匡跃军 吴志明 廖乃镘 李世彬 李伟 祁康成 蒋亚东
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 椭偏测量 透射法 光学参数 氢化非晶硅薄膜
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 1542-1547
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3623字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.03.041

摘要

针对多角度椭偏测量透明基片上薄膜厚度和光学参数时基片背面非相干反射光的影响问题,报道了利用椭偏透射谱测量等离子增强化学气相沉积法(PECVD)制备的a-Si:H薄膜厚度和光学参数的方法,分析了基片温度T.和辉光放电前气体温度T.的影响.研究表明,用椭偏透射法测量的a-Si:H薄膜厚度值与扫描电镜(SEM)测得的值相当,推导得到的光学参数与其他研究者得到的结果一致.该方法可用于生长在透明基片上的其他非晶或多晶薄膜.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	祁康成	电子科技大学光电信息学院	65	340	10.0	14.0
2	吴志明	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	78	544	13.0	17.0
3	蒋亚东	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	318	2024	18.0	25.0
4	李伟	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	75	359	10.0	14.0
5	李世彬	电子科技大学光电信息学院	9	91	6.0	9.0
6	廖乃镘	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	8	66	5.0	8.0
7	匡跃军	电子科技大学光电信息学院	5	48	4.0	5.0