衬底防反灌电路的设计

• 作者: 刘桂芝 杨虹 王智鹏
• 来源期刊: 电子工程师
• 学科: 工学
• 关键词: 电流反灌 CMOS 耗尽型场效应管
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 微电子与基础产品
• 页码范围: 14-16
• 页数: 3页
• 分类号: TN432
• 字数: 1404字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1674-4888.2008.12.005

摘要

以采样电路为对象,采用CMOS工艺,利用耗尽型场效应管的V-I,特性设计电路,达到输入电压低于输出电压时,防止输出端的高电位向衬底反灌电流的目的.本设计能够在全输入电压范围内直接检测,并且不需要外部偏置电流源.在3 V～5 V的输入电压范围内仿真,最功耗60μW,在1μs内输出所需要逻辑信号,输入电压回升时具备40 mV(可调)的延迟.可以有效防止输出端高电位向衬底反灌以及输入电压不稳定引起的输出信号跳动.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨虹		106	285	8.0	10.0
2	刘桂芝		9	80	4.0	8.0
3	王智鹏		6	14	2.0	3.0