In3+、Ga3+掺杂BSPT高温压电陶瓷的研究

• 作者: 乐夕 姜昱志 朱建国 江一杭 肖定全 覃宝全 赵毅
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 工学
• 关键词: BSPT 高居里温度压电陶瓷 掺杂
• 年，卷（期）: 2008,（12）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 1978-1981
• 页数: 4页
• 分类号: TN384
• 字数: 2688字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.12.012

摘要

将BiGaO3和BiInO3分别引入BiScO3-PbTiO3(BSPT)体系,并通过氧化物合成法制备了0.075BiGaO3-(0.925-x)BiScO3-xPbTiO3(SPTx, x=0.58～0.62)和0.075BiInO3-(0.925-x)BiScO3-xPbTiO3(BISPTx, x=0.61～0.65)压电陶瓷.X射线衍射分析表明,BiGaO3和BiInO3的替换掺杂均不影响BSPT体系的钙钛矿结构.随着PbTiO3含量的增加,SPTx和BISPTx陶瓷由三方钙钛矿结构逐渐变到四方结构,其三方-四方准同型相界分别位于x=0.60和x=0.62附近.在准同型相界附近,SPTx陶瓷的压电常数d33,机电耦合系数kp为分别为350pC/N和52.0%,而BISPTx的d33高达475pC/N,kp为52.3%.介电常数的温度特性测试表明,掺入Ga3+可以有效地提升BSPT体系的居里温度,其MPB组分(x=0.60)居里温度高达472℃,而掺入In3+对BSPT体系的居里温度影响则不明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	肖定全	四川大学材料科学与工程学院	178	2267	24.0	42.0
2	朱建国	四川大学材料科学与工程学院	124	1424	17.0	35.0
3	赵毅	四川大学材料科学与工程学院	49	161	8.0	11.0
4	江一杭	四川大学材料科学与工程学院	3	12	1.0	3.0
5	乐夕	四川大学材料科学与工程学院	7	41	3.0	6.0
6	覃宝全	四川大学材料科学与工程学院	3	14	2.0	3.0
7	姜昱志	四川大学材料科学与工程学院	2	11	1.0	2.0