基于0.5μm CMOS工艺的高压器件

• 作者: 于宗光 李蕾蕾 赵文彬
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高压MOS器件 低压MOS器件 0.5μm CMOS工艺 工艺兼容技术
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1268-1273
• 页数: 6页
• 分类号: TN405
• 字数: 1383字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.008

摘要

近年来,驱动类、音响类、接口类电路产品系列是CMOS集成电路发展的一个重要方向,这些电路中特有的高低压兼容结构是其重要的特点.相应地高低压兼容CMOS工艺技术应用也越来越广泛.本文研究了与常规CMOS工艺兼容的高压器件的结构与特性,在结构设计和工艺上做了大量的分析和实验,利用n-well和n管场注作漂移区,在没有增加任何工艺步骤的情况下,成功地将高压nMOS,pMOS器件嵌入在商用3.3/5V 0.5μm n-well CMOS工艺中.测试结果表明,高压大电流的nMOS管BVdssn达到23～25V,P管击穿BVdssp>19V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光	西安电子科技大学微电子学院	140	722	12.0	22.0
5	赵文彬	西安电子科技大学微电子学院	9	10	2.0	2.0
7	李蕾蕾	中国电子科技集团公司第五十八研究所	8	20	3.0	4.0