C波段GaAs低噪声放大器单片电路设计

• 作者: 刘志军 刘文杰 吴洪江 王德宏 高学邦
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: C波段 低噪声放大器 单片微波集成电路
• 年，卷（期）: 2008,（10）
• 所属期刊栏目: 集成电路设计与开发
• 页码范围: 923-926
• 页数: 4页
• 分类号: TN722.75
• 字数: 2888字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.10.021

摘要

主要介绍了C波段低噪声单片放大器的设计方法和电路设计指标.电路设计基于ADS微波设计环境,采用GaAs工艺技术实现.通过电路设计与电路版图电磁验证相结合的方法,准确设计出了电路.本单片采用两级放大,电路工作频率范围为5～6 GHz,噪声系数小于1.2 Db,增益大于24 Db,输入输出驻波比小于1.5:1,增益平坦度△Gp≤±0.1 Db,1 Db压缩点P-1≥12dBm,直流电流小于50 Ma.电路最终测试结果与设计结果吻合.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吴洪江	中国电子科技集团公司第十三研究所	49	225	8.0	10.0
2	高学邦	中国电子科技集团公司第十三研究所	38	175	8.0	9.0
3	刘文杰	中国电子科技集团公司第十三研究所	13	33	4.0	5.0
4	刘志军	中国电子科技集团公司第十三研究所	9	45	5.0	6.0
5	王德宏	中国电子科技集团公司第十三研究所	4	32	3.0	4.0