UHV/CVD法生长硅基低位错密度厚锗外延层

• 作者: 余金中 周志文 周笔 张永 李成 林桂江 汪建元 王启明 蔡坤煌 蔡志猛 赖虹凯 陈松岩
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锗硅异质外延 弛豫缓冲层 锗
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 315-318
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 2856字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.02.023

摘要

采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2 H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530''和5.5cm-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm-2可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件.