复合多晶硅栅LDMOS的特性研究

• 作者: 刘琦 刘磊 柯导明 洪琪 陈军宁 高珊
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 复合栅 截止频率 功函数 横向扩散金属氧化物 栅源电容 栅漏电容
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 227-230
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2668字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.03.012

摘要

提出了一种应用于射频领域的复合多晶硅栅LDMOS结构(DMG-LDMOS),并给出了工艺实现方法.此结构采用了栅工程的概念,所设计的栅电极由S-栅和D-栅两块电极并列组成,其中,S-栅采用功函数较高的P+多晶硅;D-栅采用功函数较低的n+多晶硅.MEDICI对n沟道DMG-LDMOS和n沟道普通LDMOS的模拟结果表明,该结构能够提高器件的沟道载流子速度,从而增加器件的跨导值,并且该结构在提高器件击穿电压的同时还能提高器件的截止频率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘磊	安徽大学电子科学与技术学院	24	41	3.0	5.0
2	柯导明	安徽大学电子科学与技术学院	83	423	10.0	17.0
3	陈军宁	安徽大学电子科学与技术学院	160	1135	16.0	26.0
4	高珊	安徽大学电子科学与技术学院	28	89	6.0	8.0
5	洪琪	安徽大学电子科学与技术学院	19	27	3.0	4.0
6	刘琦	安徽大学电子科学与技术学院	5	27	3.0	5.0