氮掺杂金刚石膜的生长特性

• 作者: 吕宪义 孙大智 李明吉 杨保和 金曾孙
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 金刚石膜 EA-CVD方法 膜品质 氮杂质
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1152-1155
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2793字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.06.025

摘要

采用电子辅助化学气相沉积法(EA-CVD),在含氮气氛中制备出金刚石膜,利用SEM、Raman光谱、EPR测试手段研究了氮气对金刚石膜品质的影响及氮掺杂特性.结果表明,在950℃基片温度下,沉积气氛中掺入氮气后,金刚石膜晶形变为"菜花状", 非金刚石碳的含量增加,膜的品质下降.在800℃基片温度下,沉积气氛中掺入氮气后,孪晶和二次成核减少,金刚石膜的结晶形貌得到改善.通过Raman光谱和EPR分析发现,在金刚石膜中氮杂质主要以Ns0,[N-V]0和[N-v]-1的形式存在,而且随着氮气流量的增加,Ns0的含量增加,[N-V]0含量减少,[N-V]-1含量变化不明显.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕宪义	吉林大学超硬材料国家重点实验室	27	302	10.0	17.0
2	金曾孙	吉林大学超硬材料国家重点实验室	50	462	12.0	19.0
3	杨保和	天津理工大学薄膜电子与通信器件天津市重点实验室	32	177	8.0	11.0
4	孙大智	天津理工大学薄膜电子与通信器件天津市重点实验室	4	20	3.0	4.0
5	李明吉	天津理工大学薄膜电子与通信器件天津市重点实验室	7	10	2.0	3.0