ITO薄膜的厚度对其光电性能的影响

• 作者: 李养贤 李林娜 耿新华 薛俊明 赵亚洲 赵颖
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ITO薄膜 电阻蒸发法 载流子浓度 霍尔迁移率
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 页码范围: 147-150
• 页数: 4页
• 分类号: O484
• 字数: 2522字
• 语种: 中文

摘要

氧化铟锡(indium-tin oxide, ITO)具有在可见光范围内高度透明的特性和优良的电学特性,通常当作透明电极,被广泛应用于太阳电池和发光元器件上.本研究中用电阻加热反应蒸发的方法制备ITO薄膜,测试了膜的厚度、电阻率、可见光透过率、载流子浓度和迁移率,讨论薄膜的厚度对薄膜光电性能的影响.实验中制备的ITO薄膜,透过率良好,电阻率可达6.37×10-4Ω·cm,载流子浓度和迁移率可分别达到1.91×1020cm-3和66.4cm2v-1s-1.将实验中制备的ITO作为nip太阳能电池透明电极,其短路电流为10.13mA/cm2,开路电压为0.79V,填充因子为0.648,效率可达到5.193%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵颖		16	56	4.0	7.0
2	薛俊明		4	39	3.0	4.0
3	耿新华		3	29	1.0	3.0
4	李林娜	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	4	27	1.0	4.0
5	赵亚洲		1	27	1.0	1.0
6	李养贤	南开大学光电子薄膜器件与技术研究所	1	27	1.0	1.0