基于辐照前1/f噪声的金属-氧化物-半导体场效应晶体管辐照退化模型

• 作者: He Liang Peng Shao-Quan Zhuang Yi-Qi 包军林 杜磊 陈伟华
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 1/f噪声 辐照 金属一氧化物 半导体场效应晶体管 陷阱
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 5205-5211
• 页数: 7页
• 分类号: O4
• 字数: 5225字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.08.085

摘要

基于金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)噪声的载流子数涨落和迁移率涨落理论,建立了MOSFET辐照前1/f噪声参量与辐照后分别由氧化层陷阱和界面陷阱诱使阈值电压漂移之间的定量数学模型,并通过实验予以验证.研究结果表明,辐照诱生的氧化层陷阱通过俘获和发射过程与沟道交换载流子,在引起载流子数涨落的同时也通过库仑散射导致沟道迁移率的涨落,因此辐照前的1/f噪声幅值正比于辐照诱生的氧化层陷阱数.利用该模型对MOSFET辐照前1/f噪声与辐照退化的相关性从理论上进行了解释,同时也为MOSFET抗辐照能力预测提供理论依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杜磊	西安电子科技大学微电子学院	99	486	13.0	18.0
2	包军林	西安电子科技大学技术物理学院	43	306	10.0	16.0
3	陈伟华	西安电子科技大学技术物理学院	6	58	3.0	6.0
4	Peng Shao-Quan	西安电子科技大学技术物理学院	1	9	1.0	1.0
5	Zhuang Yi-Qi	西安电子科技大学技术物理学院	1	9	1.0	1.0
6	He Liang	西安电子科技大学微电子学院	1	9	1.0	1.0