溅射Si/Ge多层膜及其发光誊性研究

• 作者: 孔令德 杨宇 杨瑞东 王茺 邓荣斌 陈寒娴
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: Si/Ge多层膜 可见光致发光 离子束溅射
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究与开发
• 页码范围: 730-732,736
• 页数: 4页
• 分类号: O484.1
• 字数: 2981字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2008.05.008

摘要

采用离子束溅射技术,在玻璃衬底上制备了不同周期数的Si/Ge多层膜样品.利用X射线小角衍射、Raman散射光谱和室温光致发光(PL)对样品进行表征.结果表明,2.0～2.3eV之间的发光带是由薄膜中的各种缺陷形成的;1.77～1.84eV之间的发光带来自薄膜中的非晶结构和晶粒间的缺陷;1.53eV发光峰则可能源于纳米Ge晶粒发光.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宇	云南大学工程技术研究院红外光电信息薄膜研究中心	101	377	9.0	12.0
2	王茺	云南大学工程技术研究院红外光电信息薄膜研究中心	50	148	7.0	8.0
3	陈寒娴	云南大学工程技术研究院红外光电信息薄膜研究中心	5	11	2.0	3.0
4	邓荣斌	云南大学工程技术研究院红外光电信息薄膜研究中心	6	19	3.0	4.0
5	孔令德	云南大学工程技术研究院红外光电信息薄膜研究中心	4	18	3.0	4.0