X波段GaN HEMT的研制

• 作者: 冯志宏 冯震 宋建博 李静强 杨克武 王勇
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓高电子迁移率晶体管 肖特基势垒 击穿电压 输出功率
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 677-679
• 页数: 3页
• 分类号: TN386
• 字数: 1427字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.08.009

摘要

采用双台面隔离工艺,实现了器件有源区隔离,隔离电压大于250 V/10μA.通过对金属化前和介质膜淀积前的预处理过程的改进,实现了较理想的肖特基势垒特性,电压也得到了大幅度提高,理想因子n值小于1.7,源漏击穿电压大于50 V/1 mA,栅源击穿电压大于40 V/1 mA,最终实现器件X波段连续波输出功率20 W,功率增益7 dB,功率密度8 W/mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨克武		26	186	6.0	13.0
2	冯震	中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家重点实验室	12	32	3.0	5.0
3	王勇	中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家重点实验室	53	98	6.0	7.0
4	宋建博	中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家重点实验室	5	8	2.0	2.0
5	冯志宏	中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家重点实验室	6	10	1.0	3.0
6	李静强	中国电子科技集团公司第十三研究所专用集成电路国家重点实验室	5	10	1.0	3.0