AlGaN/GaN型气敏传感器对于C0的响应研究

• 作者: 冉军学 冯春 王军喜 王新华 王晓亮 王翠梅 肖红领 胡国新
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN C0 传感器
• 年，卷（期）: 2008,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1387-1390
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 字数: 3044字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.07.033

摘要

研究了基于AlGaN/GaN型结构的气敏传感器对于C0的传感性.制备出AlGaN/GaN型气敏传感器器件,并测试得到了器件在50℃时对于不同浓度(1%,9000,8000,5000和1000ppm)的C0的响应情况;测试并分析了1%CO在50和100℃下响应度的差异,计算了通人1%CO前后器件的肖特基势垒高度的变化和灵敏度随电压的分布关系.结果表明,器件的灵敏度强烈依赖于器件的工作温度和通入的气体浓度,随着温度和浓度的增加,器件的灵敏度呈单调增加,器件在100℃空气气氛中表现出了良好恢复性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王晓亮	中国科学院半导体研究所	38	212	9.0	12.0
2	胡国新	中国科学院半导体研究所	13	83	4.0	8.0
3	王新华	中国科学院半导体研究所	40	1076	16.0	32.0
4	冯春	中国科学院半导体研究所	57	423	12.0	18.0
5	王翠梅	中国科学院半导体研究所	9	34	3.0	5.0
6	王军喜	中国科学院半导体研究所	32	155	8.0	10.0
7	肖红领	中国科学院半导体研究所	7	26	3.0	5.0
8	冉军学	中国科学院半导体研究所	7	32	3.0	5.0