原文服务方: 材料工程       
摘要:
采用直流磁控溅射方法,在SiC颗粒表面成功地沉积了金属铜膜.利用场发射扫描电子显微镜(FESEM)、能谱仪(EDS)和电感耦合等离子体发射光谱仪(ICP-AES)等测试仪器对其表面形貌和组份进行了表征.重点讨论了不同的沉积条件对薄膜结晶的影响,并用X射线衍射仪(XRD)对其进行了表征.结果表明,溅射镀膜时,通过控制SiC颗粒的运动方式,可以在其表面镀上均匀、连续和致密的金属膜.溅射时间越长或溅射功率越大或温度越高,都有利于薄膜结晶.
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文献信息
篇名 碳化硅颗粒表面磁控溅射镀铜膜的研究
来源期刊 材料工程 学科
关键词 磁控溅射 金属膜 碳化硅 X射线衍射仪
年,卷(期) 2008,(3) 所属期刊栏目 测试与表征
研究方向 页码范围 32-35
页数 4页 分类号 TB79|TB333
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1001-4381.2008.03.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 沈志刚 北京航空航天大学粉体技术北京市重点实验室 65 491 11.0 19.0
3 徐政 28 128 7.0 9.0
4 俞晓正 北京航空航天大学粉体技术北京市重点实验室 7 66 5.0 7.0
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材料工程
月刊
1001-4381
11-1800/TB
大16开
北京81信箱-44分箱
1956-05-01
中文
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