GaN外延材料测试技术的研究

• 作者: 刘岳巍 张志国 杨勇 闫德利 陈宏江 高蒙 高金环
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 高电子迁移率晶体管 霍尔测试 原子力显微镜
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 封装、测试与设备
• 页码范围: 422-424
• 页数: 3页
• 分类号: TN307|TN304.054
• 字数: 1159字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.05.015

摘要

分别用金属In和Ti/Al/Ni/Au合金层制备GaN HEMT结构外延片的霍尔测试电极,并对样品进行霍尔测试.发现In金属与外延片形成非欧姆接触,Ti/Al/Ni/Au合金层与外延片形成良好的欧姆接触.用电化学C-V方法测试样品,得到的载流子浓度与合金电极制备的样品经霍尔测试得到的载流子浓度一致,从而验证了此种霍尔测试方法的准确性,为GaN外延材料的测试提出了准确可行的测试方法.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高金环	中国电子科技集团公司第十三研究所	11	12	2.0	2.0
2	张志国	中国电子科技集团公司第十三研究所	17	48	5.0	5.0
3	陈宏江	中国电子科技集团公司第十三研究所	7	21	2.0	4.0