埋栅型静电感应器件研制中的外延技术

• 作者: 李思渊 李海蓉 李海霞 雷景丽
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 工艺 外延层 反型 自掺杂
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 384-387
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2868字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.05.005

摘要

对电力埋栅型静电感应晶体管关键工艺外延进行了深入研究,提出了在低阻p型衬底上制备高阻n型外延层的工艺方法,使外廷层的方块电阻达到40 000 Ω/□.实验证明,该方法能有效抑制自掺杂效应和扩散效应,避免了外延过程中可能出现的反型.研制的电力埋栅型静电感应晶体管,I-V特性良好、栅源击穿电压达到70 V,阻断电压达到,600 V.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李思渊	兰州大学物理科学与技术学院	25	113	7.0	9.0
2	李海蓉	兰州大学物理科学与技术学院	18	81	5.0	8.0
3	雷景丽	兰州理工大学理学院	32	45	3.0	4.0
4	李海霞	中国科学院中国近代物理研究所	11	117	5.0	10.0