应变硅电子迁移率解析模型

• 作者: 李小健 田立林 谭耀华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 应变硅 电子迁移率 解析模型 n型场效应管 单轴应力/应变
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 863-868
• 页数: 6页
• 分类号: TN301.1
• 字数: 1391字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.05.011

摘要

提出了一个应变硅沟道电子迁移率解析模型.模型以应变张量为对象研究应变硅沟道电子迁移率,因此与工艺相独立;适用于施加双轴应力及<100>/<110>方向单轴应力,沟道方向为<100>/<110>的器件;易于嵌入常用仿真工具中.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	田立林	清华大学微电子学研究所清华信息科学与技术国家实验室	31	116	6.0	8.0
2	李小健	清华大学微电子学研究所清华信息科学与技术国家实验室	2	9	2.0	2.0
3	谭耀华	清华大学微电子学研究所清华信息科学与技术国家实验室	2	12	2.0	2.0