Hg1-xMnxTe的化学抛光研究

• 作者: 介万奇 孙晓燕 王浩亮
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Hg1-xMnxTe 表面损伤层 腐蚀速度 平均粗糙度 电阻率
• 年，卷（期）: 2008,（3）
• 页码范围: 662-665
• 页数: 4页
• 分类号: O78
• 字数: 1997字
• 语种: 中文

摘要

本文根据窄禁带半导体Hg1-xMnxTe的物理、化学特性,采用不同浓度的Br2-MeOH作为抛光液对Hg1-xMnxTe进行化学抛光,发现用3%的Br2-MeOH腐蚀液时腐蚀速率平稳且容易控制,能有效去除表面划痕,得到光亮、整洁表面.AFM分析发现,化学抛光后表面粗糙度降低19.8%,整体均匀性提高.SEM分析发现,化学抛光后表面损伤层被全部去除.77 K时,化学抛光前后的范德堡霍尔测量发现,晶片化学抛光后,电阻率增加.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学材料学院	272	1636	19.0	27.0
2	孙晓燕	西北工业大学材料学院	21	107	5.0	10.0
3	王浩亮	西北工业大学材料学院	1	0	0.0	0.0