近空间升华法氧气氛下CdTe源的性能

• 作者: 冯良桓 张静全 曾广根 李卫 李愿杰 武莉莉 蔡亚平 郑家贵 雷智 黎兵
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 近空间升华 CdTe CdO
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 133-135
• 页数: 3页
• 分类号: TM914.4+2
• 字数: 1681字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.01.024

摘要

在用近空间升华法制备CdTe多晶薄膜时,由于CdTe源在有O2的环境下多次使用,造成了源表面氧化,进而失效,严重影响所沉积的CdTe多晶薄膜性能.文中研究了多次使用后CdTe源结构形貌、成分等性能.结果表明:多次使用后的CdTe源表面有变黄的趋势,源表面有CdO粉末的存在,经H2在一定条件的高温还原,可以去除表面的氧化物,为源的重复使用奠定基础.