纳米SiO2浆料中半导体硅片的电化学腐蚀研究

• 作者: 刘宏燕 宋晓岚 岳汉威 杨海平 邱冠周
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: n(111)硅片 纳米SiO2浆料 电化学 腐蚀
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 页码范围: 435-440
• 页数: 6页
• 分类号: TN304
• 字数: 3955字
• 语种: 中文

摘要

采用电化学直流极化和交流阻抗技术,研究了n型(111)半导体硅片在不同条件纳米SiO2浆料中的电化学腐蚀性能.结果表明,浆料的pH值、温度、磨粒固含量以及金属杂质离子等因素都不同程度地影响硅片的腐蚀行为.随pH值增加、温度提高和磨粒固含量降低,其腐蚀电流增大,交流阻抗减小,硅片腐蚀较易进行;微量金属杂质离子的存在也会加速硅片的腐蚀.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宋晓岚	中南大学资源加工与生物工程学院无机材料系	75	1681	20.0	39.0
2	邱冠周	中南大学资源加工与生物工程学院无机材料系	335	5466	36.0	53.0
3	杨海平	中南大学资源加工与生物工程学院无机材料系	8	92	5.0	8.0
4	刘宏燕	中南大学资源加工与生物工程学院无机材料系	3	43	2.0	3.0
5	岳汉威	中南大学资源加工与生物工程学院无机材料系	1	2	1.0	1.0