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摘要:
介绍了基于原位水汽生长工艺的超薄栅介质膜的可靠性研究.通过电荷泵测试.对工艺参数与界面态密度的关系进行了定性的分析,然后通过热载流子退化和经时击穿的测试对原位水汽生长栅介质膜的可靠性进行了研究.通过测试发现,提高生长温度或减小氢气在反应气体中的比重可以获得更好的界面特性和可靠性,原位水汽生长工艺存在进一步提高的空间.
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基于原位水汽生成工艺的栅氧化膜特性
原位水汽生成
栅介质
击穿
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 原位水汽生长栅介质界面态特性和可靠性研究
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 原位水汽生长 热载流子注入 经时击穿
年,卷(期) 2008,(9) 所属期刊栏目 封装、测试与设计
研究方向 页码范围 803-806
页数 4页 分类号 TN305.5
字数 3261字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.09.020
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 孙凌 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 8 57 4.0 7.0
7 高超 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 39 911 14.0 30.0
16 杨华岳 6 25 3.0 5.0
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研究主题发展历程
节点文献
原位水汽生长
热载流子注入
经时击穿
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
总被引数(次)
24788
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