5 W Si衬底GaN基HEMT研究

• 作者: 冯志宏 冯震 刘晨晖 王勇 蔡树军 默江辉
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 硅衬底 微波特性 氮化镓基高电子迁移率晶体管
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 62-64
• 页数: 3页
• 分类号: TN325.2
• 字数: 1443字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.01.016

摘要

介绍了Si衬底上外延生长GaN基HEMT的制备及其直流特性与微波特性的研究结果:栅宽200 μm器件Vgs=0 V时饱和电流密度达0.975 A/mm,最大跨导240 mS/mm,夹断电压-4.5 V,栅漏击穿电压80 V;栅宽1 mm器件,在频率2 GHz下,工作电压Vds=25 V时,连续波输出功率为5.0 W,功率增益为9 dB,功率附加效率为35%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯震	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	32	3.0	5.0
2	王勇	中国电子科技集团公司第十三研究所	53	98	6.0	7.0
3	冯志宏	中国电子科技集团公司第十三研究所	6	10	1.0	3.0
4	蔡树军	中国电子科技集团公司第十三研究所	12	45	3.0	6.0
5	刘晨晖	中国电子科技集团公司第十三研究所	2	3	1.0	1.0
6	默江辉	中国电子科技集团公司第十三研究所	5	22	1.0	4.0