VDSM集成电路互连特性及RC延迟研究

• 作者: 邝嘉 黄河
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 超深亚微米 寄生电容 互连 时间延迟
• 年，卷（期）: 2008,（1）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 68-72
• 页数: 5页
• 分类号: TN405.97
• 字数: 3279字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.01.018

摘要

利用多层金属导体寄生电容模型,详细分析了不同的金属互连线参数对寄生电容的影响,并采用一个闭合公式对超深亚微米级集成电路中的RC互连延迟进行估计.结果表明,当金属导线的纵横比接近2时,线间耦合电容对互连总电容的影响将占主导地位.在超深亚微米工艺条件下,当金属线宽和间距比例W/P的最优质值为0.5～0.6时,计算的互连延迟为最小.此外,还给出了低介电常数材料对互连线电容和延迟的影响,为超深亚微米级的集成电路设计与实现提供有益的参考.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄河	华南师范大学计算机学院	30	543	10.0	23.0
2	邝嘉	华南师范大学计算机学院	2	7	2.0	2.0