快速稳定的CMOS电荷泵电路的设计

• 作者: 曹寒梅 杨银堂 王宗民 蔡伟 陆铁军
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 电荷泵 快速建立 CMOS
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 纳米,固态及真空电子器件
• 页码范围: 1475-1478
• 页数: 4页
• 分类号: TN432.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.05.019

摘要

基于交叉耦合NMOS单元,提出了一种低压、快速稳定的CMOS电荷泵电路.一个二极管连接的NMOS管与自举电容相并联,对电路进行预充电,从而改善了电荷泵电路的稳定建立特性.PMOS串联开关用于将信号传输到下一级.仿真结果表明,4级电荷泵的最大输出电压为7.41 V,建立时间为0.85 μs.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨银堂	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	420	2932	23.0	32.0
2	王宗民		24	116	7.0	9.0
3	曹寒梅	西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室	6	29	3.0	5.0
4	陆铁军		23	113	6.0	9.0
5	蔡伟		7	45	4.0	6.0