Si1-xGex合金半导体中CiCs和CiOi缺陷随Ge含量的变化

• 作者: 周成冈 杨福华 罗红波 谭劲
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: Si1-xGex合金 从头计算法 CiCs缺陷 CiOi缺陷
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1109-1116
• 页数: 8页
• 分类号: O4
• 字数: 6055字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.02.077

摘要

采用从头计算(ab initio)的方法对Si和Si1-xGex合金半导体材料中CiCs 缺陷的性质进行探讨,同时也对比调查了CiOi 缺陷在Si和Si1-xGex合金中的性质. 在不同Ge含量的Si1-xGex合金中CiCs和CiOi缺陷的结构都具有较好的稳定性;从能量学角度,Ge原子不能与C或O原子直接成键. CiCs缺陷的A型和B型结构在Si1-xGex合金中表现出的行为基本类似,但是A型结构随着Ge含量的增加形成能逐渐减小,结构越来越稳定,而B型结构的形成能先有所下降后逐渐增加;A型和B型结构的能量差值随着Ge含量的增加先在小范围内变化后迅速下降. CiOi缺陷形成能的变化特征较为复杂. 纯Si体系在1000K及以上温度的等温退火过程中,CiCs缺陷的A型结构会向B型结构转变;Si1-xGex合金在进行等温退火时CiCs缺陷的A型结构的变化特征与退火温度、Ge含量和Ge取代的位置等因素有关.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	周成冈	中国地质大学材料科学与化学工程学院	12	56	4.0	7.0
2	谭劲	中国地质大学材料科学与化学工程学院	17	95	5.0	9.0
3	杨福华	中国地质大学材料科学与化学工程学院	2	4	1.0	2.0
4	罗红波	中国地质大学材料科学与化学工程学院	1	4	1.0	1.0