GaAs垂直结构PIN二极管限幅器

• 作者: 张力江 王静辉 魏洪涛
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 垂直结构 PIN 二极管 限幅器 深挖槽
• 年，卷（期）: 2008,（9）
• 所属期刊栏目: 器件制造与应用
• 页码范围: 766-768
• 页数: 3页
• 分类号: TN364.2|TN402
• 字数: 1016字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.09.008

摘要

基于垂直结构GaAs PIN二极管的工艺技术开发,在GaAs PHEMT生产线上开发研制了GaAs PIN二极管限幅器单片集成电路.针对不同频段的单片电路采用了不同的材料结构参数设计.工艺中采用先进的深挖槽技术,严格控制横向钻蚀问题,制作出了限幅水平40 mW、最大承受功率5 W的多个频段GaAs限幅器单片电路,成品率达到95%以上.GaAs垂直结构PIN二极管工艺对GaAs PIN二极管大功率开关、限幅器等GaAs MMIC的发展具有重大意义.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王静辉		1	10	1.0	1.0
2	魏洪涛		3	16	2.0	3.0
3	张力江		2	13	2.0	2.0