NH3气氛处理制备p型ZnO薄膜及性能表征

• 作者: 唐立丹 张跃
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: p型ZnO Al+N共掺杂 直流/射频共溅射
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1145-1149
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2443字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.02.083

摘要

采用NH3气氛处理直流/射频共溅射方法制得的ZnO:Al薄膜,从而获得Al+N共掺p型ZnO薄膜.XRD,场发射扫描电子显微镜测试及Hall效应测试发现,处理温度对ZnO薄膜的结构和电学性能具有较大的影响,其中处理温度为700℃时,薄膜具有较好的c轴择优取向,并且薄膜表面平整,结构紧密,晶粒大小均匀,无明显空洞和裂缝,具有良好的表面质量,晶粒尺寸约为40-60 nm,薄膜的导电类型由n型转变为p型.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张跃	北京科技大学材料物理与化学系	85	559	13.0	20.0
5	唐立丹	北京科技大学材料物理与化学系	2	8	1.0	2.0