14W X波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC

• 作者: 任春江 张斌 焦刚 郑维彬 陈堂胜 陈辰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: X波段 AlGaN/GaN 高电子迁移率晶体管 功率MMIC
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 1027-1030
• 页数: 4页
• 分类号: TN325.3
• 字数: 697字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.06.001

摘要

报道了研制的SiC衬底AIGaN/GaN HEMT微带结构微波功率MMIC,芯片工艺采用凹槽栅场板结构提高AlGaN/GaNHEMTs的微波功率特性.S参数测试结果表明AlGaN/GaN HEMTs的频率特性随器件的工作电压变化显著.研制的该2级功率MMIC在9～11GHz带内30V工作,输出功率大于10W,功率增益大于12dB,带内峰值输出功率达到14.7W,功率增益为13.7dB,功率附加效率为23%,该芯片尺寸仅为2.0mm×1.1mm.与已发表的X波段AlGaN/GaN HEMT功率MMIC研制结果相比,本项工作在单位毫米栅宽输出功率和芯片单位面积输出功率方面具有优势.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈堂胜	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	56	225	8.0	12.0
2	任春江	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	14	78	6.0	8.0
3	焦刚	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	12	80	5.0	8.0
4	张斌	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	25	123	7.0	10.0
5	陈辰	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	22	120	7.0	10.0
6	郑维彬	南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室	1	15	1.0	1.0