Al在生长InGaN材料中的表面活化效应

• 作者: 冯志宏 刘波 尹甲运 梁栋 袁凤坡
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 金属有机物化学汽相淀积 氮化镓 铟镓氮 铝活性剂
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 技术专栏(新型半导体材料)
• 页码范围: 126-128
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1750字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.02.009

摘要

为了解决材料的界面平整度,改善材料的晶体质量,在Ⅲ-Ⅴ族氮化物(InGaN)材料的生长过程中,加入了Al掺杂剂.实验发现,InGaN材料的双晶衍射半宽从533arcsec(非掺Al)下降到399 arcsec(轻掺Al),PL光谱半宽变窄,从21.4 nm(非掺Al)降为20.9 nm(轻掺Al).研究结果表明,Al作为活性剂明显提高了InGaN材料质量,这将对改善LED和LD多量子阱材料和器件质量带来积极影响,目前还没有相关的文献报道.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘波	河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室	2	4	1.0	2.0
2	袁凤坡	河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室	2	1	1.0	1.0
3	尹甲运	河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室	1	0	0.0	0.0
4	梁栋	河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室	1	0	0.0	0.0
5	冯志宏	河北半导体研究所专用集成电路国家级重点实验室	1	0	0.0	0.0