铁磁性锰氧化物掺杂的ZnO压敏电阻性能研究

• 作者: 羊新胜 赵勇
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO 压敏电阻 锰氧化物 正磁电阻
• 年，卷（期）: 2008,（5）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 3188-3192
• 页数: 5页
• 分类号: O4
• 字数: 2537字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.05.090

摘要

利用通常的电子陶瓷制备工艺制备了铁磁性锰氧化物La0.7Sr0.3MnO3掺杂的ZnO陶瓷.晶界处存在La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)和LaMnO3(LMO)两种杂相.样品中绝缘相LM0的含量显著影响着样品的电学性能.掺杂后的样品仍具有一定的铁磁性.在样品上施加磁场后,样品电阻值增加,表现为正磁电阻性质.正磁电阻的出现,是由于磁场的存在增加了晶界处势垒的高度造成的.结果表明磁场可以改变多晶陶瓷样品中晶界处势垒的性质,从而改变样品的电输运特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	赵勇		92	334	11.0	17.0
2	羊新胜		19	71	4.0	8.0