ZrO2对ZrB2-SiC复合材料中ZrB2生长机制的影响

• 作者: 徐强 朱时珍 王富耻 郝桂亮
• 来源期刊: 兵工学报
• 学科: 工学
• 关键词: 材料科学基础学科 ZrB2-SiC ZrO2 生长机制 放电等离子烧结
• 年，卷（期）: 2008,（8）
• 页码范围: 940-943
• 页数: 4页
• 分类号: TQ174.75
• 字数: 2064字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-1093.2008.08.010

摘要

利用放电等离子烧结(SPS)技术成功制备了ZrB2-SiC超高温陶瓷复合材料,研究了颗粒问放电生成的ZrO2对复合材料中ZrB2生长机制的影响.结果表明,在ZrB2-SiC体系中,ZrB2(1010)面会优先与ZrO2(101)面结合,ZrB2(1010)面的正常生长受到抑制,(0001)面则成为ZrB2优先生长面.基于此研究结果,可以为zrB2-SiC复合材料微结构设计和材料性能的改进提供依据.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王富耻	北京理工大学材料科学与工程学院	253	2108	21.0	27.0
2	郝桂亮	北京理工大学材料科学与工程学院	3	1	1.0	1.0
3	徐强	北京理工大学材料科学与工程学院	36	170	8.0	11.0
4	朱时珍	北京理工大学材料科学与工程学院	37	203	9.0	12.0