软磁非晶丝巨磁阻抗效应传感器研究进展与应用

• 作者: 房建成 盛蔚 蒋颜玮 黄学功
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 巨磁阻抗(GMI) 非晶丝 磁传感器 磁畴结构 磁导率 趋肤效应
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 所属期刊栏目: 纳米固态及真空电子器件
• 页码范围: 1124-1129
• 页数: 6页
• 分类号: TP212.13
• 字数: 4837字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2008.04.014

摘要

基于软磁非晶丝巨磁阻抗效应(GMI)的传感器是近年来磁传感器领域的研究热点之一.非晶丝具有良好的软磁特性:如低电阻率、高磁导率、高饱和磁感应强度、低矫顽力、低损耗以及特殊的磁畴结构等,利用其GMI效应制成磁传感器,其突出优点是微型化、高灵敏度、快速响应、高温度稳定性和低功耗.本文讨论了软磁非晶丝巨磁阻抗效应的机理,叙述了非晶丝GMI传感器的研究进展,着重对敏感材料性能及制备、GMI器件结构形式、传感电路等作了介绍,并指出了GMI目前存在的问题及将来的发展趋势.最后对GMI的应用作了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	房建成	北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院	320	4308	32.0	44.0
2	盛蔚	北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院	44	313	11.0	17.0
3	蒋颜玮	北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院	6	73	4.0	6.0
4	黄学功	北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院	4	60	3.0	4.0