铜过量对CuxAlO2(1≤x≤1.06)电学性能的影响

• 作者: 方晓东 朱雪斌 李达 董伟伟 邓赞红 陶汝华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 溶胶.凝胶法 P型透明导电氧化物 CuAlO2
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1052-1056
• 页数: 5页
• 分类号: O472+.4
• 字数: 1136字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.06.007

摘要

采用溶胶.凝胶法制备了铜铁矿结构CuxAlO2陶瓷体材.当1≤x＜1.04时,样品为纯铜铁矿相,当x≥1.04时,样品中出现了微弱的CuO相.样品Cu1.04AlO2的室温电导率比名义组分CuAlO2大了近一个数量级.研究表明,替位式缺陷CuAl(Cu2+离子取代Al3+离子)是导致电导增加的主要受主缺陷机制,Cu过量CuxAlO2的分子式可更准确地表示为Cu(Al1-yCuy)O2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	邓赞红	中国科学院安徽光学精密机械研究所	9	39	3.0	6.0
2	李达	中国科学院安徽光学精密机械研究所	15	80	5.0	8.0
3	朱雪斌	中国科学院固体物理研究所	3	9	2.0	3.0
4	陶汝华	中国科学院安徽光学精密机械研究所	17	94	5.0	9.0
5	董伟伟	中国科学院安徽光学精密机械研究所	15	80	5.0	8.0
6	方晓东	中国科学院安徽光学精密机械研究所	73	301	9.0	13.0