调制掺杂ZnSe/BeTe Ⅱ型量子阱结构中的内秉电场和新型带电激子

• 作者: 三野弘文 冀子武 嶽山正二郎 秋本良一 陈锦祥 鲁云
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光致发光 二维电子气 带电激子 Ⅱ型量子阱
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1214-1219
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 2886字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2008.02.095

摘要

报道了调制掺杂的ZnSe/BeTe/ZnSe Ⅱ型量子阱(type-Ⅱ QW)在低温(2-5 K)条件下的光致发光(PL),光致发光激发(PLE)和磁性光致发光(magneto-PL)光谱的实验结果. 观察到非掺杂样品的PL有两个很强的主发光峰而掺杂样品只有一个的奇异发光. PL直线偏振度和PLE的测量结果都表明了这些空间间接型跃迁PL是来自两个异质结界面的贡献,非掺杂样品的两个主发光峰的分离则是起因于QW结构中的内秉电场(built-in electric field). 在平行于QW生长方向的强磁场中,掺杂样品的发光强度和主发光峰能量都显示了一个光学Shubinkov-de Hass (SdH) 振荡. 这些特征及另外的吸收光谱测量结果都表明,在掺杂样品中已经形成了一个高浓度的二维电子气; 它具有type-Ⅱ QW所特有的带电激子的特征.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈锦祥		1	0	0.0	0.0