80dB动态范围,用于低中频结构GSM接收机的∑△调制器

• 作者: 杨华中 杨培 殷秀梅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: ∑△调制器 模数转换 开关电容 运算放大器
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 256-261
• 页数: 6页
• 分类号: TN79+2
• 字数: 599字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.02.013

摘要

介绍了一个200kHz信号带宽、用于低中频结构GSM射频接收机的高精度∑△调制器.该调制器采用3阶单环单比特的结构,电路使用全差分开关电容结构实现,并在0.6μm 2P2M CMOS 工艺下流片验证.调制器使用全差分±1V参考电压,工作在26MHz采样频率,过采样率为64.测试结果表明,在200kHz信号带宽内,调制器达到80.6dB动态范围,峰值SNDR达到71.8dB,峰值SNR达到73.9dB.整个调制器电源电压为5V,静态功耗为15mW.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨华中	清华大学电子工程系	92	500	13.0	16.0
2	殷秀梅	清华大学电子工程系	5	51	4.0	5.0
3	杨培	清华大学电子工程系	3	14	1.0	3.0