蓝宝石衬底上HVPE-GaN表面形貌研究

• 作者: 严如岳 于祥潞 徐永宽 杨巍 程红娟 赖占平
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: 氮化镓 氢化物气相外延 表面形貌 晶体生长 成核层
• 年，卷（期）: 2008,（11）
• 所属期刊栏目: 工艺技术与材料
• 页码范围: 988-990
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 1678字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2008.11.013

摘要

通过研究蓝宝石衬底上HVPE-GaN的表面形貌,指导HVPE-GaN工艺.工艺是在自制的立式HVPE设备上进行的,通过显微镜观察了各种不同工艺条件下的GaN表面形貌.发现不采用成核层直接生长的GaN表面粗糙为多晶,而采用低温成核层所得到的GaN表面随着Ⅴ/Ⅲ比由大到小,从包状表面向坑状表面过渡,通过选择合适的Ⅴ/Ⅲ,可以得到表面光滑、无色透明的GaN.其XRD摇摆曲线半高宽为450 arcs,表面粗糙度为0.9 mm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程红娟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	44	47	4.0	5.0
2	徐永宽	中国电子科技集团公司第四十六研究所	28	57	4.0	6.0
3	严如岳	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	50	5.0	6.0
4	赖占平	中国电子科技集团公司第四十六研究所	5	34	4.0	5.0
5	杨巍	中国电子科技集团公司第四十六研究所	3	8	1.0	2.0
6	于祥潞	中国电子科技集团公司第四十六研究所	1	6	1.0	1.0