双极场引晶体管:Ⅳ.短沟道飘移扩散理论(双MOS栅纯基)

• 作者: 揭斌斌 薩支唐
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双极场引晶体管理论 MOS场引晶体管 同时并存空穴电子表面沟道和体积沟道 表面势 两区短沟道理论 双栅纯基.
• 年，卷（期）: 2008,（2）
• 所属期刊栏目: 技术进展
• 页码范围: 193-200
• 页数: 8页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2514字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2008.02.001

摘要

本文描述双极场引晶体管(BiFET)短沟道解析理论,用解析理论分别计算飘移扩散电流.上月文章用单项电化电流描述飘移扩散电流.正如那篇文章里,两维晶体管分成两个区域,源区和漏区.每区在特定外加端电压下既可为电子或空穴发射区又可为电子或空穴收集区.把两维无缺陷Shockley方程分离为两个以表面势为参变量的一维方程,并运用源区和漏区界面处电子电流和空穴电流连续性,得到在源区和漏区内解析方程.典型BiFET包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅(MOS)栅.用图形提供实用硅基和氧化层厚度范围内,随直流电压变化,输出和转移电流和电导总量,电子沟道与空穴沟道飘移扩散分量,和两区电学长度.描述两区短沟道理论相对一区长沟道理论偏差.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	揭斌斌		11	31	4.0	5.0